[发明专利]一种背面钝化复合结构、TOPCon电池及制备方法在审
申请号: | 202310955883.0 | 申请日: | 2023-07-28 |
公开(公告)号: | CN116936648A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 刘志锋;余竹云;纪桂平;朱玉娟;李钡;朱骏 | 申请(专利权)人: | 中环新能(安徽)先进电池制造有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 田灵菲 |
地址: | 232121 安徽省淮南市凤台县经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种背面钝化复合结构、TOPCon电池及制备方法;复合结构内穿设有金属电极,所述复合结构包括n+掺杂BSF层、氧化铝钝化层和复合膜层,n+掺杂BSF层设于硅基体的背面,氧化铝钝化层设于复合膜层内,金属电极插入复合膜层内,金属电极穿设氧化铝钝化层设置;通过在TOPCon电池的硅基体背面上引入n+掺杂BSF层、氧化铝钝化层和复合膜层,使得非多晶硅区域通过n+掺杂的BSF层同接触区域隔离,同时氧化铝钝化层设置在复合膜层内,可以改变金属电极和复合膜层内n+掺杂多晶硅层的接触区域和非接触区域的厚度和掺杂浓度,从而降低多晶硅对光的寄生吸收,避免电池短路而使得电流降低,实现电池效率的最佳化。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 钝化 复合 结构 topcon 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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