[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202310958120.1 | 申请日: | 2023-08-01 |
公开(公告)号: | CN116936698A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金 | 申请(专利权)人: | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 361026 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管从下至上依次包括:衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层,其中,第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构,第二缓冲层为第二AlGaN层,第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构,第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配,缓解应力,改善发光二极管的晶体质量和出光方向,进而提高发光二极管的出光效率和发光亮度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,未经厦门士兰明镓化合物半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310958120.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。