[发明专利]一种深紫外发光二极管结构在审
| 申请号： | 202310960754.0 | 申请日： | 2023-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116705926A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 田维原;周康;王彬;熊傲然;张永生 | 申请（专利权）人： | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211135 江苏省南京市栖霞区麒麟科技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外发光二极管结构，针对AlGaN基深紫外发光二极管效率低的空穴注入和严重的电子泄露问题，基于铝镓合金相图对结构的p‑AlGaN空穴注入层中Al组分进行渐变式设计，具体的，深紫外发光二极管结构的p‑AlGaN空穴注入层中从上往下，Al组分按照铝镓合金相图中Al在120℃‑20℃的最大溶解度曲线降低，该结构能够有效地保持较高的电子约束能力和较高的空穴注入效率，从而显著提高量子阱中的辐射复合率，大大提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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