[发明专利]一种半导体材料制备系统有效

专利信息
申请号: 202310964030.3 申请日: 2023-08-02
公开(公告)号: CN116657248B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 乔焜;陈炎东 申请(专利权)人: 雅安宇焜芯材材料科技有限公司
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14;H01L21/205;C30B29/36;C23C16/448;C23C16/455
代理公司: 成都精点专利代理事务所(普通合伙) 51338 代理人: 周建
地址: 625000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种半导体材料制备系统,属于半导体制备技术领域,通过在炉腔内设置第一隔离板和第二隔离板将炉腔在前后方向上依次分隔为资源腔、缓冲腔和生长腔,有效避免了炉腔内热对流的发生,有利于对温区内温度的调控,实现各温区各自的均温性控制要求;通过特殊的镓舟结构,使得气体在经过镓舟腔时,过流面积是不断变化的,且,气体对镓液液面形成垂直冲击,极大的提高了金属镓与HCL气体的反应转化效率,能够极大的提高生产效率;采用特殊结构的镓源源管,确保了在进行正常供气时供气的稳定、持续,在生产结束时,能够对镓源气体进行泄放,确保生长的半导体材料在预定厚度,实现了快速冷却,进而提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 半导体材料 制备 系统
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