[发明专利]一种磨片清洗工艺在审
| 申请号： | 202310966724.0 | 申请日： | 2023-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116936346A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 白玉麟;段立群;孙希凯;东士博;刘建伟;谭永麟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种磨片清洗工艺，步骤包括：对研磨后的硅片先进行预清洗，再对预清洗后的硅片进行碱液清洗；其中，所述碱液清洗时所用的药液为弱碱性清洗剂。本申请一种磨片清洗工艺，适合各种类型产品的清洗，清洗效果好且质量高，避免多种工艺切换而导致的切换工时的浪费，提高清洗效率；可有效去除硅片表面残留的杂质，并使腐蚀后的去除量不足0.5um，且不会对产品的TTV产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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