[发明专利]一种LED外延片、制备方法及LED芯片有效
| 申请号： | 202310967037.0 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682909B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片，LED外延片包括衬底及在所述衬底上依次沉积的有源层，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括量子阱层及量子垒层，所述量子阱层包括#imgabs0#前阱层、AlN组合层及#imgabs1#后阱层，所述量子垒层包括BN前垒层、#imgabs2#组合层及BN后垒层。通过复合的量子阱层，可使所述量子阱层内产生应力，以此抵消部分量子阱与量子垒之间的应力差，提高所述有源层内电子与空穴波函数的重叠程度，通过复合的量子垒层，其具有较大的导带偏移和较小的价带偏移特性，可提高空穴的注入效率，有效提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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