[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

摘要

本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，在衬底的第二表面上依次形成第二介质层、第一缓冲层、复合层；形成凹槽和第一保护层；刻蚀位于凹槽底部的第一保护层以及部分第一介质层，形成至少一个第一开口；并且，同步刻蚀第一保护层、复合层至第一缓冲层，形成预设开口；预设开口和凹槽相间隔。本公开提供的半导体结构制备方法通过与第一开口同步刻蚀形成的预设开口，简化了半导体结构的制备工艺，节省光罩，降低了工艺成本。