[发明专利]一种纳米线发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310970945.5 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682843A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 程志渊;张林君;查超飞;张运炎 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L27/092;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州君锐达知识产权代理有限公司 33544 | 代理人： | 黄欢娣 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现图像显示。基于本发明形成的纳米线发光器件，无需巨量转移技术，无需额外的引线或焊点进行阵列与电路的连接，突破器件与电路集成问题的同时，还具有超高像素点、亮度高、对比度高、体积小、功耗低、独立驱动、利于便携式使用等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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