[发明专利]一种氮化镓外延片结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310973981.7 申请日: 2023-08-04
公开(公告)号: CN116682910A 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 谢逸帆;魏强民;黄俊;杨冰;李成果 申请(专利权)人: 湖北九峰山实验室
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02
代理公司: 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 代理人: 张文静
地址: 430000 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种氮化镓外延片结构及其制备方法,该外延结构由下至上依次为氧化镓衬底层、(XmGa1‑m2O3缓冲层、AlnGa1‑nN缓冲层、氮化镓缓冲层和氮化镓外延层,其中,X为Al或In元素,0<m≤0.5,0<n≤0.8。本发明通过在氧化镓衬底上依次沉积(XmGa1‑m2O3缓冲层、AlnGa1‑nN缓冲层、氮化镓缓冲层作为复合应力缓冲层,之后再在复合应力缓冲层上外延生长高质量氮化镓材料薄膜,通过在传统的GaN合金/GaN缓冲体系前,沉积一层氧化镓合金缓冲层,进一步减少了衬底与GaN材料间的晶格失配,解决了氧化镓衬底异质外延过程中薄膜应力大厚度薄的问题。
搜索关键词: 一种 氮化 外延 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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