[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310975730.2 | 申请日： | 2023-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116779587A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汪逸航;朱子凡 | 申请（专利权）人： | 长鑫科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孟嘉欣 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。本公开的半导体结构包括：衬底以及依次层叠于衬底的表面上的第一介质层、第二介质层和轮廓改善层，第一介质层、第二介质层和轮廓改善层的材料均包括含碳的低K介质材料。第一介质层的含碳量大于第二介质层的含碳量，第二介质层的含碳量大于轮廓改善层的含碳量。轮廓改善层、第二介质层和第一介质层中设置有贯穿的金属互连凹槽。半导体结构中还包括导电层，导电层设置于金属互连凹槽内。上述半导体结构能够通过刻蚀制备槽壁笔直程度较高的金属互连凹槽，能够得到较小的金属线间的寄生电容，进而实现较低的芯片的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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