[发明专利]一种场效应管封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202310976440.X | 申请日： | 2023-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN116705725A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张西刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市深鸿盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/38;H01L21/50;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳树贤专利代理事务所(普通合伙) 44705 | 代理人： | 杨春女 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区南山街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种场效应管封装结构及其制造方法，涉及半导体领域，其中，该方法包括：基于导电基座的相关信息及电路板的相关信息，确定电路板的目标安装位置；基于场效应管的相关信息及电路板的目标安装位置，确定场效应管的目标安装位置、散热元件的数量及每个散热元件的目标安装位置，进而确定感应元件的数量及每个感应元件的目标安装位置，将电路板可拆卸地安装在导电基座上，将场效应管焊接在电路板上，将散热元件安装在导电基座；基于感应元件的数量及每个感应元件的目标安装位置，安装感应元件，具有提高场效应管的性能的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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