[发明专利]MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风在审
| 申请号： | 202310986307.2 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116828376A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李冠华;周旭;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风。该制备方法包括：在衬底正面依次沉积下电极层、压电层、上电极层；自上而下刻蚀外围的上电极层和上层压电层，保留内侧的上电极层和上层压电层；在衬底背面进行深硅刻蚀直至下电极层，形成衬底背腔；其中，刻蚀后的压电层的纵剖面呈“凸”字形状，压电层的中性面与几何对称面不重合，中性面为：压电层内的应力应变为0的面，几何对称面为：过压电层厚度方向的中点沿水平方向延伸的面。本发明中，中性面与原几何对称面不重合，打破了厚度方向上的对称性，大幅提升了结构的灵敏度，并且降低了调整工艺参数来控制结构中残余应力的难度，也提升了量化残余应力的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 结构 及其 制备 方法 压电 麦克风 | ||
【主权项】：
暂无信息
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