[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 202310986412.6 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116709775B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘朝 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴凤凰;何妮 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸；所述晶体管包括第一电极和环绕所述字线侧壁的半导体层；所述半导体层包括开口背离所述字线的第一凹槽，所述第一电极51位于所述第一凹槽内且与所述半导体层连接。本实施例提供的方案，第一电极位于半导体层的凹槽内，在制造过程中可以使用易于刻蚀的膜层占据导电薄膜所在的膜层，使得刻蚀更易控制，且便于在不改变工艺的情况下，更换不同的导电薄膜作为第一电极，有利于器件的迭代更新。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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