[发明专利]一种抑制晶体划弧的控制方法有效
| 申请号： | 202310987999.2 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116695235B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;李林东;魏子涵;许堃;李安君;吴超慧;闫洪嘉 | 申请（专利权）人： | 苏州晨晖智能设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 梁晓婷 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供了一种抑制晶体划弧的控制方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。该抑制晶体划弧的控制方法包括：步骤一、等时间间隔获取晶体运动时在平面内的位置坐标；步骤二、根据所述位置坐标获取晶体运动轨迹方程及晶体运动方向；步骤三、根据所述位置坐标和晶体运动轨迹方程获取晶体运动方向与晶体受力方向的夹角；步骤四、根据晶体运动方向与晶体受力方向的夹角和晶体运动方向控制晶体转速和坩埚转速；步骤五、在一个调整周期后重复步骤一到步骤四，直至晶体与运动中心轴的夹角小于预期角度值，其能够在晶体生长过程中有效抑制晶体划弧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 晶体 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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