[发明专利]一种低残余应力的薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202310992293.5 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116744757A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 董庆顺;史彦涛 | 申请（专利权）人： | 无锡众能光储科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/30 | 分类号： | H10K71/30;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/50;H10K30/40;H10K30/50 |
| 代理公司： | 南京司南专利代理事务所(普通合伙) 32431 | 代理人： | 彭玉婷 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种低残余应力的薄膜太阳能电池及其制备方法，方法如下：在底电极上制备空穴传输层；首先，将负膨胀材料加入钙钛矿前驱体溶液中并搅拌均匀，得到混合溶液；然后，采用旋涂、狭缝涂布或刮涂的方式将混合溶液涂敷于空穴传输层上形成钙钛矿薄膜；接着，通过反溶剂或真空闪蒸的方法使钙钛矿薄膜中的有机溶剂快速脱离；最后，退火制得钙钛矿吸光层；在钙钛矿吸光层上制备电子传输层；在电子传输层上制备顶电极。本方案在钙钛矿薄膜晶界处设置负膨胀材料，利用负膨胀材料降温过程具有反温度膨胀特性，解决钙钛矿薄膜与基底由于热膨胀系数差异产生的热膨胀失配，消除退火后钙钛矿薄膜上的残余应力，从而减小钙钛矿薄膜的缺陷，提升电池的效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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