[发明专利]一种超结MOSFET器件及其加工方法有效
| 申请号： | 202311007239.7 | 申请日： | 2023-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116741811B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李睿;王思亮;马克强;胡敏 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京之于行知识产权代理有限公司 11767 | 代理人： | 侯越玲 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超结MOSFET器件及其加工方法，超结MOSFET器件至少包括衬底结构、耐压区和槽型栅极结构，耐压区设置在衬底结构上，耐压区至少包括属于第一导电类型的至少一个第一耐压区和属于第二导电类型的至少一个第二耐压区，槽型栅极结构设置在耐压区中的第一耐压区的顶部，第二耐压区内设置有至少一个第三耐压区；第一耐压区顶部设置有第一基区和第二基区，第二耐压区顶部未设置第一基区和第二基区，使得第二耐压区顶部区域形成凹槽结构；第二耐压区顶部区域设置有至少一层截止层使得第二耐压区的顶部空间区域形成凹面结构。针对超结MOSFET器件的反向恢复变硬、软度因子过小的缺陷，本发明降低了体二极管体内的非平衡载流子的数量；还增大了软度因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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