[发明专利]一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202311008130.5 | 申请日： | 2023-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116722033A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 吴英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为5‑15°。本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 改进型 超结肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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