[发明专利]基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202311011249.8 | 申请日： | 2023-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936623A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 魏钟鸣;辛凯耀;杨珏晗;翟慎强;刘岳阳;文宏玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 郭梦雅 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 云母 介质 二维 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202311011249.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：人机客服切换方法、装置、电子设备和存储介质
- 下一篇：浮动螺带式粉料混合机
- 同类专利
- 专利分类
