[发明专利]一种半导体激光器芯片中的自对准方法在审
| 申请号： | 202311019480.1 | 申请日： | 2023-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN116937316A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李青民;任占强;李喜荣;刘科燕;张冰;李康 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/22;H01S5/042;G02B6/136 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 康进兴 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区锦*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器芯片中的自对准方法，属于半导体器件制备技术领域，包括在单模外延片上刻蚀脊型波导、绝缘介质薄膜沉积、涂胶与烘烤、去除光刻胶、制作p型金属电极、研磨抛光、制作n型金属电极、退火处理的过程。本发明自对准方法通过光刻版半曝光、显影实施涂胶，以及去胶溶液去除光刻胶，在单模半导体激光器芯片的脊型波导上形成P型电极窗口，弥补了接触式光刻机在对位精度的不足，解决了单模半导体激光器芯片窄条宽上P型电极难制作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 中的 对准 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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