[发明专利]一种提高TOPCon电池超薄氧化层钝化效果的方法在审
| 申请号： | 202311023125.1 | 申请日： | 2023-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936680A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 戴晓伟;王晓蕾 | 申请（专利权）人： | 浙江日月光能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06;H01L21/316 |
| 代理公司： | 苏州曼博专利代理事务所(普通合伙) 32436 | 代理人： | 宋俊华 |
| 地址： | 312073 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高TOPCon电池超薄氧化层钝化效果的方法，在TOPCon电池的制备过程中对硅片进行背抛光，且在硅片的抛光背面开始自然氧化之前，在硅片的抛光背面形成湿氧氧化层，并在湿氧氧化层上沉积超薄氧化层。本发明能避免由于环境中温湿度波动在硅片抛光背面生成厚度不均匀的自然氧化层，进而避免该不均匀的自然氧化层影响超薄氧化层提供良好的界面钝化；本发明能降低太阳能电池片对温湿度的敏感度，降低温湿度波动造成的中心发暗比例，提升效率与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 topcon 电池 超薄 氧化 钝化 效果 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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