[发明专利]快速控温载片台、去胶刻蚀设备及去胶工艺有效
| 申请号： | 202311029596.3 | 申请日： | 2023-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN116759346B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 范雄;王兆丰;田文康;张笑语 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311;H01L21/66;G03F7/42;H01J37/32 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种快速控温载片台、去胶刻蚀设备及去胶工艺，快速控温载片台包括：底座，所述底座中分布有冷却回路，所述冷却回路设有进口和出口；加热层，设置于底座上；电热丝，布设在加热层中；隔层，设置在底座与加热层之间，用于物理隔离电热丝与冷却回路；所述隔层为热的良导体；温度传感器，温度传感器的传感部穿过隔层与加热层接触。本发明能够在晶圆去胶工艺过程中，通过校准流量的工艺冷却液控制载片台温度略微下降，抵消去胶工艺过程中晶圆表面温度上升导致刻蚀速率不断上升的趋势，控制去胶速率基本达到匀速的效果；在保证完全去胶的前提下，更加精确地控制去胶后的留余时间，尽可能减小易氧化膜层的氧化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 控温载片台 刻蚀 设备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡尚积半导体科技有限公司，未经无锡尚积半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202311029596.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
