[发明专利]高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途有效
| 申请号： | 202311036419.8 | 申请日： | 2023-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN116779539B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王海东;罗旭雯 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/463;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 孙凯 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途。该转移二维材料的系统用于制备异质结，二维材料用于形成异质结，该系统包括：微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针、操作平台、显示装置、驱动装置、控制单元，驱动装置与微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针相连；控制单元与驱动装置和显示装置相连，且适于通过显示装置放大操作平台的操作画面和二维材料的位置，以及基于驱动装置执行以下操作：控制微米级切刀对位于操作平台上的二维材料进行切割、控制微米级夹取装置对二维材料进行转移、控制微米级探针对二维材料进行辅助定位。该系统结构简单，操作方便，能够精确控制二维材料转移，实现高精度异质结的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 定向 转移 二维 材料 系统 方法 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202311036419.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
