[发明专利]溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置在审
| 申请号： | 202311041163.X | 申请日： | 2023-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN116754791A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G01P13/02 | 分类号： | G01P13/02;C30B29/36;C30B11/00;G01P5/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘逸卿 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置，观察方法包括：对硅合金溶液进行保温，使硅合金溶液表面析出碳化硅晶体；通过调整硅合金溶液内温度梯度、施加电磁搅拌、旋转籽晶杆或旋转坩埚来改变硅合金溶液的流动参数，同时采用照相设备进行拍摄，得到含有流场参数的照片，实现对溶液流动的观测；其中，硅合金溶液的温度为1700‑2100℃；保温的时间为1‑3h；析出碳化硅晶体的溶液面积为硅合金溶液表面面积的30‑60%。本发明提供的观察方法，通过观察碳化硅晶体在硅合金溶液表面的流动过程，获得了溶液法生长碳化硅晶体过程中不同工艺条件下硅合金溶液的流动特点，具有流程简单，实现成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 溶液 生长 碳化硅 晶体 流动 观察 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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