[发明专利]一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202311043123.9 | 申请日： | 2023-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936361A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张东国;李忠辉;杨乾坤;李传皓;彭大青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/205;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 殷星 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石衬底氮化镓模板，采用图形化氮化硼二维缓冲材料释放氮化物二次高温生长时薄膜应力，从而实现高质量的低应力金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料制备。本发明制备方法提高金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料的表面薄膜质量及抑制薄膜开裂的目的，有利于改善氮极性氮化镓异质结材料的散热能力，提高器件的工作寿命，适用于大功率微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 衬底 极性 氮化 镓异质结 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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