[发明专利]一种复合势垒层结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202311054555.X | 申请日： | 2023-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN116960154A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;亢昱杰;陈尧;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种复合势垒层结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、未掺杂缓冲层、未掺杂沟道层、未掺杂隔离层、delta‑doping平面掺杂层、复合势垒层；分别设置于第一势垒子层和第二势垒子层上的第一帽层和第二帽层；设置于第一帽层上的源极；设置于第二帽层上的漏极；设置于部分第二未掺杂势垒层上的栅极；还包括源极金属互联、漏极金属互联和栅极金属互联以及钝化层。本发明将栅极直接设置在第二未掺杂势垒层上，使栅极直接与第二未掺杂势垒层接触，从而提高肖特基势垒，进而提高器件的击穿电压；同时这种结构减小了栅极与沟道层的距离，从而增加栅控效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 势垒层 结构 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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