[发明专利]一种复合压电衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202311055191.7 | 申请日： | 2023-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN116761494A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宋永军;王晓宇;郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/01 | 分类号： | H10N30/01;H10N30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 048000 山西省晋城市晋城经济技*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种复合压电衬底及其制备方法，属于压电衬底制造技术领域。所述复合压电衬底的制备方法包括如下步骤：对压电晶圆A的抛光面进行离子注入后，得到具有离子注入层的压电晶圆A；将压电晶圆A的离子注入层和压电晶圆B的抛光面进行临时键合，得到第一键合体；对第一键合体进行加热裂片，使第一键合体从离子注入层分离，将压电晶圆A的离子注入层转移至压电晶圆B上，得到第二键合体；将第二键合体的离子注入层与衬底晶圆的抛光面进行永久键合，得到第三键合体；将第三键合体中的离子注入层与压电晶圆B进行解键合后，得到复合压电衬底。本发明中，通过临时键合和解键合的技术方法，提升了压电晶圆的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 压电 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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