[发明专利]一种电调节垂直面发射氮化镓激光器在审
| 申请号： | 202311071738.2 | 申请日： | 2023-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN116799618A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 印新达;张振锋;齐林 | 申请（专利权）人： | 武汉鑫威源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市江夏区文*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电调节垂直面发射氮化镓激光器，包括本体，沿本体的高度方向，本体依次具有顶部DBR层、p型GaN层、InGaN量子阱有源层以及n型GaN层，顶部DBR层周围环绕设有顶部电极，n型GaN层上的中间导电层上设有中间电极，n型GaN层的下方设有底部电极，顶部电极和底部电极之间施加有工作电压，中间电极与顶部电极之间或者中间电极与底部电极之间施加有调节电压。本发明在激光器内部施加调节电压，形成调节电场，对InGaN基量子阱有源层的局域极化进行调节，不仅可以有效减少InGaN基量子阱的能带倾斜，降低量子斯塔克效应（QCSE），从而提高激光器的效率，也可以通过施加一定信号的调节电压对激光器的发光波长进行调制，实现调频载波信号传输功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 垂直面 发射 氮化 激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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