[发明专利]一种SiC MOSFET的元胞结构及制作方法在审
| 申请号： | 202311074197.9 | 申请日： | 2023-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN116936606A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨啸;杨承晋 | 申请（专利权）人： | 深圳市森国科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳砾智知识产权代理事务所(普通合伙) 44722 | 代理人： | 张合成 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET的元胞结构，该方法包括：晶圆；掺杂区，位于所述晶圆的上表面中，所述掺杂区的边缘呈齿状结构；栅极，位于所述晶圆之上，且所述栅极呈环状结构，覆盖在所述掺杂区的边缘之上。通过改变碳化硅MOSFET的元胞结构，提升碳化硅MOSFET的沟道密度和沟道电阻，降低比导通电阻的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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