[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202311121967.0 | 申请日： | 2023-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN116936608A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 冯新 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种LDMOS器件及其制备方法。LDMOS器件包括：第二掺杂类型的基底；形成在所述基底之上的第一掺杂类型的漂移区；形成在所述漂移区的沟槽；形成在所述沟槽的底部和侧壁的金属氧化物薄膜；沿所述沟槽的底部和侧壁向漂移区扩散的第二掺杂类型扩散区；其中，第二掺杂类型的杂质从位于金属氧化物薄膜扩散至漂移区内形成第二掺杂类型扩散区。本申请解决了传统的超级结LDMOS器件的P型柱区较宽难以降低导致导通阻抗高的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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