[发明专利]一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法在审
| 申请号： | 202311132064.2 | 申请日： | 2023-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN116855892A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王卫玲;潘钱森;周云;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/14 |
| 代理公司： | 上海科企达专利代理事务所(普通合伙) 31501 | 代理人： | 潘青青 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高产能AlSi或AlSiCu薄膜的沉积方法，包括以下步骤：S1：提供PVD反应腔体，反应腔体内设置有加热器，加热器上设置有一导热结构，加热器上设置有顶针，靶材为AlSi或AlSiCu；S2：加热器温度设置在150‑280℃，反应腔体的气压为真空或者接近真空；S3：反应腔体的射频功率设置为11‑18kw，通入氩气，沉积相应时间的AlSi或AlSiCu薄膜；S4：关闭反应腔体电源，通过导热气体稳压冷却，静置相应时间后抽出导热气体，进行下一次沉积，直到得到相应厚度的沉积AlSi或AlSiCu薄膜，使用此工艺方式可以使单片工艺时间可以缩短30%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产能 alsi alsicu 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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