[发明专利]一种MEMS过载传感器的外壳结构及组封方法在审

专利信息
申请号: 202311132686.5 申请日: 2023-09-04
公开(公告)号: CN116924317A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 方澍;黄艳辉;周铭;周建国 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种MEMS过载传感器的外壳结构及组封方法。其中,该外壳结构包括底座、盖板,所述盖板和底座通过焊接的方式进行封装;所述底座表面经过绝缘阳极氧化处理,盖板表面经过导电氧化处理。本发明提出的技术方案,通过对外壳材料的选取、结构的合理设计,材料表面处理、组封方法等技术手段,能够解决现有过载传感器存在的不足和适应过载传感器使用环境的不同要求。
搜索关键词: 一种 mems 过载 传感器 外壳 结构 方法
【主权项】:
暂无信息
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