[发明专利]一种单晶硅片制绒方法

摘要

本发明属于太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片制绒方法。本发明用于单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：第一次制绒：使用氩离子气体对单晶硅片进行反应离子刻蚀，得到一次处理硅片；第二次制绒：将所述一次处理硅片使用化学腐蚀液进行化学腐蚀过程，得到二次处理硅片；第三次制绒：使用氟离子气体对所述二次处理硅片进行反应离子刻蚀，得到制绒后硅片。其中在第二次制绒之前设置了第一次制绒能够去除脏污，提高第二次制绒过程绒面液膜覆盖的均匀程度，从而减少绒面雨点现象。并且在前两次制绒的基础上，增加第三次制绒，能够使得绒面更为均匀和规则。