[发明专利]一种晶片表面的清洗方法

摘要

本发明属于半导体表面净化技术领域，涉及一种晶片表面的清洗方法，包括依次使用碱性清洗液、酸性清洗液、SPM清洗液清洗、SC1清洗液、SC2清洗液、DHF清洗液、臭氧水、SC1清洗液、DHF清洗液进行清洗的步骤，在使用SPM清洗液清洗步骤中，使用兆声震荡和刷头刷洗。使用本发明的清洗方法清洗后的晶片，使用表面缺陷检测仪测定，≥0.3μm的颗粒较传统工艺平均降低至少50个以内/片，≥0.13μm颗粒一次去除率至少95％，钠离子、镁离子、铝离子、钾离子、钙离子、钛离子、钒离子、铬离子、锰离子、铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、镓离子、银离子、锡离子、钨离子、铅离子残留量低至0.08×10¹⁰atoms/cm2。