[发明专利]一种识别和处理薄膜太阳电池缺陷的装置和方法在审
| 申请号： | 202311147598.2 | 申请日： | 2023-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936396A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 信基科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 程琛 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜太阳电池技术领域，提供一种识别和处理薄膜太阳电池缺陷的装置和方法，其中装置包括平台、可见光相机、激光器及计算机，可见光相机与计算机通信连接，计算机与激光器通信连接；其中，平台用于承载薄膜太阳电池；可见光相机用于采集薄膜太阳电池的电池图像，并将电池图像传输至计算机；计算机用于对电池图像进行缺陷识别，得到缺陷识别结果，并基于缺陷识别结果中包含缺陷的缺陷位置生成控制指令，将控制指令传输至激光器；激光器用于基于控制指令在薄膜太阳电池的缺陷位置处进行划线隔离。此过程采用可见光显微成像的方式可实现对薄膜太阳电池中的缺陷的有效识别，省略现有的针孔填补工序，而不会增加新工序，节约了大量的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 处理 薄膜 太阳电池 缺陷 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
