[发明专利]一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202311158549.9 | 申请日： | 2023-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN116884994A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 彭贤春;刘坤;滕渊;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/739;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳昊生知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括顶层金属层、N+发射极、P型体区、CS层、P型掺杂区、N‑Sub、N型场终止区以及P+集电极；其中，通过调节P型掺杂区和CS层浓度以降低芯片正向导通压降VF。本发明在栅极沟槽底部引入P型掺杂区，通过调节P型掺杂区浓度，不影响器件击穿电压下增加CS层浓度，减小器件VF，降低静态导通损耗，减小沟槽底部电场强度，提升了栅氧可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 vf igbt 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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