[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202311184376.8 | 申请日： | 2023-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116936469A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 和巍巍;汪之涵;温正欣 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括提供包括半导体衬底、栅极结构和刻蚀停止层的叠层；于所述刻蚀停止层的远离所述半导体衬底的一侧形成多个介电层，于所述多个介电层的远离所述半导体衬底的一侧形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，多次干法刻蚀所述多个介电层，以形成暴露所述刻蚀停止层的开孔；利用氧气处理所述开孔的内壁，以去除形成所述开孔的过程中形成在所述开孔内的反应产物；以及干法刻蚀所述开孔内的所述刻蚀停止层，形成所述刻蚀停止层的损失，进而得到接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
