[发明专利]一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202311184961.8 | 申请日： | 2023-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116936685A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈庆敏;李丙科;卓倩武;张海洋 | 申请（专利权）人： | 无锡松煜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511 | 代理人： | 葛天祥 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用，所述制备方法包括（1）将沉积有氧化铝钝化膜层的硅衬底置于PECVD设备的反应腔体内，通入笑气，抽真空预热，进行一次等离子体处理；（2）通入硅烷和氨气，在氧化铝钝化膜层表面沉积氮化硅层；（3）通入笑气，进行二次等离子体处理；（4）通入硅烷、氨气和笑气，在氮化硅层表面沉积氮氧化硅层；（5）通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。本发明的太阳能电池抗反射叠层结构膜层不仅在光学上提升太阳能电池的光生电流，还能从钝化角度提升太阳能电池的钝化水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 反射 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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