[发明专利]一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 202311188656.6 | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936631A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/24;H01L29/267;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 郑菁 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法，所述氮化镓基晶体管的外延结构包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、改善层及半导体层；所述改善层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一子层、第二子层及第三子层；所述第一子层包括元素掺杂GaN层及沉积在所述元素掺杂GaN层上的Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体管 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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