[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202311188712.6 | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936700A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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