[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202311189899.1 | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116937331A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;周大勇;杨慧永;祝曾伟;顾俊 | 申请（专利权）人： | 材料科学姑苏实验室 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马迪 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于材料科学姑苏实验室，未经材料科学姑苏实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202311189899.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
