[发明专利]一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法在审
申请号: | 202311196005.1 | 申请日: | 2023-09-18 |
公开(公告)号: | CN116931367A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 杨志远;汪斌;李鑫;陶艺;刘磊;郑名扬;刘洋;谢秀平 | 申请(专利权)人: | 济南量子技术研究院 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G02B6/13;G02B6/134;G02B6/12 |
代理公司: | 河南舜壹知识产权代理事务所(普通合伙) 41213 | 代理人: | 黄晶 |
地址: | 250101 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法,该方法包括:提供一铌酸锂薄膜晶圆;在薄膜上涂覆光刻胶和导电胶;进行电子束曝光处理,在所述光刻胶中形成金属标记凹槽、第一波导凹槽和第二波导凹槽;显影处理;金属电镀处理,在相应凹槽中生成金属标记和波导结构硬掩膜;利用掩膜对薄膜进行刻蚀得到第一、第二波导;去除波导结构硬掩膜,然后涂覆导电胶,以金属标记为套刻标记进行曝光、显影处理,电镀处理分别形成三个金属电极,得到脊型波导;沉积保护层以及在脊型波导上耦合光纤,得到铌酸锂薄膜脊型波导调制器。本发明只需一步套刻法,就能制备出调制器,支持使用成本相对低很多的普通曝光胶,大大降低工艺复杂度和成本、更节能。 | ||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂 薄膜 波导 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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