[发明专利]一种深掺杂碳化硅耐压JFET结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202311196920.0 | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936610A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张梓豪 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/80;H01L21/337;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 何筱茂 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深掺杂碳化硅耐压JFET结构及其制备方法，包括碳化硅衬底和碳化硅外延层；在碳化硅外延层上设有栅极填充区、源极注入区；在该JFET结构的Y轴方向上，源极注入区与栅极填充区间断交替分布；在该JFET结构的X轴方向上，源极注入区与碳化硅外延层间断交替分布或源极注入区与栅极填充区间断交替分布；栅极填充区上覆盖有栅金属电极，整个碳化硅外延层上方覆盖有源金属电极，整个碳化硅外延层背面覆盖有漏金属电极；碳化硅衬底、碳化硅外延层、源极注入区的掺杂类型均为第一导电类型；栅极填充区的掺杂类型为第二导电类型。本发明在保持碳化硅JFET低正向导通电阻前提下，提升其反向耐压水平，增强雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 耐压 jfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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