[发明专利]一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用在审
| 申请号： | 202311197624.2 | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116926394A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄永章;吴刚;康强;贺子龙;石晓涛;闫国庆;桂涛;边爱薇 | 申请（专利权）人： | 有研资源环境技术研究院（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C1/02;C21D8/00;B21J5/00;C22F1/16;G21F1/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苟冬梅 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用，属于中子准直谱仪技术领域，所述钆铌合金带由高纯钆和高纯铌组成，其中，所述高纯钆的质量占比为50%～90%。本发明通过成分设计与熔炼、锻造、热轧、冷轧、去应力退火等制备步骤，以及各步工艺参数的设置，获得厚度精确可控，表面质量优良的钆铌合金带，其厚度为0.1 mm～1 mm，抗拉强度高于160 MPa，中子吸收率可达80%以上，在满足使用性能的前提下兼具较长的使用寿命，从根本上解决了现有中子准直器用吸收材料的涂层易脱落、易老化的问题，在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子 吸收率 合金 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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