[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 202311197945.2 | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936351A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李刘晶;刘恒;王俊;赵武;李顺峰 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体材料；步骤S2：在所述基底结构上形成初始光刻胶层；步骤S3：对所述初始光刻胶层图形化以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括顶部区域；步骤S4：采用碳氟基气体对光刻胶层的顶部区域进行等离子处理，以使光刻胶层的顶部区域的硬度大于所述顶部区域下方的光刻胶层的硬度；步骤S5：等离子处理之后，以光刻胶层为掩膜刻蚀基底结构；步骤S6：重复步骤S4和步骤S5直至在基底结构中形成目标凹槽。所述刻蚀方法具有高的刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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