[发明专利]一种基于卷积模型的半导体检测方法及系统在审
| 申请号： | 202311200057.1 | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116934758A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郑剑华;苏建国;张元元;孙彬;朱建 | 申请（专利权）人： | 南通华隆微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/40;G06T7/90;G06N3/0464;G06N3/045;G01R31/26;G01N25/00;G01N25/72 |
| 代理公司： | 南通国鑫智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 32606 | 代理人： | 刘玉洁 |
| 地址： | 226300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于卷积模型的半导体检测方法及系统，属于半导体器件领域，其中方法包括：对硅片材料晶体进行特征采集，得到晶体特征信息；将晶体特征信息进行分析，得到晶体特征分析结果；获得晶体损伤指数；当晶体损伤指数符合阈值时，对硅片材料的离子注入特征进行分析，得到电学损失指数；当电学损失指数符合阈值时，对半导体表面发出线性调频红外热波发射信号，获取线性调频红外热波接收信号；对信号进行分析得到表观质量指数；加和晶体损伤指数、电学损失指数和表观质量指数，生成半导体检测结果。本申请解决了现有技术中半导体检测精度和检测结果准确度低下的技术问题，达到了提高半导体检测精度和检测结果准确度的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卷积 模型 半导体 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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