[发明专利]一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法在审
| 申请号： | 202311203164.X | 申请日： | 2023-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116936611A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 付民;张潇风;郑冰 | 申请（专利权）人： | 中国海洋大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 青岛鼎丞智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 37277 | 代理人： | 王剑伟 |
| 地址： | 266100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域。其结构在传统场截止型IGBT结构的基础上，降低部分集电极P型区硼掺杂浓度，形成低掺杂P型阻隔区，再在P型阻隔区背部离子注入形成集电极N+区，形成包裹结构，包裹结构中央刻蚀填充形成短路集电极分裂沟槽，N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔区和短路集电极分裂沟槽构成双向导通NMOS结构。双向导通NMOS结构与集电极P型区由深氧沟槽隔离开，使其具有较为独立电学特性。本发明无需额外引入控制电极的前提下集成了双向导通NMOS结构，关断速度明显提升，进而降低器件导通损耗，并且极大缩小了器件横向电压回折抑制尺寸，提高了芯片集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 双向 igbt 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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