[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202311204129.X | 申请日： | 2023-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116936701A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 曹远龙 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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