[发明专利]芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置在审
| 申请号： | 202311205204.4 | 申请日： | 2023-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116930670A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄保成;赵扬;高杰;翟振;成睿琦;杨小娟;仝傲宇 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网江苏省电力有限公司常州供电分公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 电磁 干扰 传导 注入 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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