[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法在审
申请号: | 202311206423.4 | 申请日: | 2023-09-19 |
公开(公告)号: | CN116936710A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 郑菁 |
地址: | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法;包括以下步骤:提供一衬底,在衬底上沉积隔离层,对隔离层进行刻蚀形成第一容纳槽;在第一容纳槽内沉积外延层;在隔离层上沉积Ag环层;在Ag环层上沉积Ag环保护层,在外延层上沉积电流阻挡层;对部分外延层进行刻蚀形成N型导电台阶;在电流阻挡层上沉积电流扩展层;在N型导电台阶上沉积N型电极,在电流扩展层上沉积P型电极;在电流扩展层上沉积布拉格反射层;对衬底底部进行刻蚀形成第一斜坡及第二斜坡。本发明利用隔离层隔离外延层,无需制备隔离槽隔离外延层,有效避免了因外延层非辐射复合的增加,从而导致外延层材料内量子效率降低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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