[发明专利]一种电容测试结构、制备方法、测试方法及应用在审
| 申请号： | 202311209291.0 | 申请日： | 2023-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116936543A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 高沛雄;沈安星 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H10N97/00;G01R29/24;G01R27/26;G01B7/06;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884 | 代理人： | 陈照辉 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种电容测试结构、制备方法、测试方法及应用，涉及半导体制造技术领域。该电容测试结构包括有源区衬底、栅氧化层、金属接触层和下极板电极；有源区衬底包括两侧的掺杂区和中间的衬底区，有源区衬底为电容的下极板；栅氧化层为覆盖在衬底区和掺杂区的第一区域上的钴硅化合物阻挡层，栅氧化层制作有盲孔，栅氧化层为电容的绝缘体介质；金属接触层为通过盲孔沉积的金属，金属接触层为电容的上极板；下极板电极为覆盖在掺杂区的第二区域上的金属，下极板电极的侧壁接触栅氧化层。通过上述技术手段，解决了现有技术中无法准确测定衬底与栅氧化层之间的界面电荷的问题，保证栅氧化层的测试和评估结果的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 测试 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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